2.2.3. Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники

Описание

Целью программы аспирантуры является подготовка аспирантом диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук в области разработки и изготовления материалов и приборов электронной техники (преимущественно полупроводниковых). Аспирантам предлагается участие в экспериментах по проектированию, изготовлению и испытаниям полупроводниковых приборов и интегральных схем, в том числе СБИС, НИОКРах, грантах, посвященных решению
данных задач и т.п.
Направление научных исследований:
- Разработка физико-технологических и физико-химических основ создания новых и
совершенствования существующих материалов включая полупроводники, диэлектрики,
проводники, технологические среды.
- Физические и физико-химические исследования технологических процессов и маршрутов производства материалов и приборов электронной техники, разработка их физикотехнологических и физико-химических моделей.
- Исследование и разработка конструкций, моделей, методов проектирования и технологий изготовления оборудования для исследования свойств и производства материалов и приборов
электронной техники.
- Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик
оборудования для производства материалов и приборов электронной техники включая
вопросы качества, долговечности, надежности и стойкости к внешним воздействующим
факторам, а также вопросы эффективного применения.
Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований:
- АО «НПП «Пульсар»
- ГК «Микрон»
- АО «НПП «Исток» им. Шокина»
- и другие
Научные группы, научные лаборатории, центрыНИЯУ МИФИ:
- Международная НИЛ «Инжиниринг наноэлектромеханических систем и сенсоров»
- Технологическая лаборатория кафедры 27
- Лаборатория проектирования специализированных интегральных микросхем на базе кафедры электроники (№ 3)
- Лаборатория комплексной технологии полупроводниковых приборов центра радиофотоники и СВЧ-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике центр радиофотоники и СВЧ-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
- Центр экстремальной прикладной электроники института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Условия поступления

Информация о приеме на обучение по программам научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре

Вступительные испытания проводятся в соответствии с графиком проведения вступительных испытаний

-Специальную дисциплину, соответствующую группе научных специальностей, научной специальности или профилю программы аспирантуры поступления;
-Иностранный язык в профессиональной сфере (английский).

Вступительные испытания проводятся в форме собеседования по вопросам, перечень которых установлен программой вступительных испытаний

Программы вступительных испытаний в аспирантуру

Репутация

Университет ведет историю от Московского механического института боеприпасов (ММИБ), основанного в ноябре 1942 года. Основной целью института являлась подготовка кадров для атомной отрасли. В создании и становлении МИФИ участвовали выдающиеся ученые, в том числе руководитель атомного проекта СССР академик Игорь Васильевич Курчатов. В МИФИ работали шесть лауреатов Нобелевской премии – академики Н.Г. Басов (выпускник МИФИ), А.Д. Сахаров, Н.Н. Семенов, И.Е. Тамм, И.М. Франк, П.А. Черенков.

Миссия НИЯУ МИФИ - Ответ на глобальные научно-технологические вызовы результатами фундаментальных и прикладных исследований в сотрудничестве с мировыми научно-образовательными центрами и обеспечение стратегической безопасности России через вклад в конкурентоспособность страны на мировом рынке высоких технологий и подготовку будущих лидеров.

По результатам рейтинга RAEX-100: лучшие вузы России 2024 НИЯУ МИФИ занимает 5 место.