2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (радиофотоника, гетероструктурная электроника, органические полупроводники)

Описание

Целью программы аспирантуры является подготовка аспирантами диссертации на соискание ученой степени кандидата технических или физико-математических наук в области разработки материалов, нанотехнологий компонентной базы твердотельной электроники и радиофотоники, приборов на квантовых эффектах, в том числе на основе новых размерных монослойных и гетероструктурных материалов, схемотехнического проектирования систем. Обучение проводится на основе современной исследовательской и технологической инфраструктуры НИЯУ МИФИ. Аспиранты участвуют в выполнении НИОКР в предметной области исследований.
Направления научных исследований:
- Гетероструктурная СВЧ электроника – технологии проектирования, создания и исследования новых материалов на основе A3B5, SiC, графена и гибридных материалов;
- Исследования и разработки технологий создания перспективной компонентной базы СВЧ электроники, силовой электроники, радиофотоники, сенсоров.
- Системотехнический дизайн в области СВЧ электроники, радиофотоники, сенсоров.
- Радиационно-стойкая электроника и компонентная база – методы проектирования,
исследования стойкости, методы повышения стойкости.
Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований:
- ФГАНУ ИСВЧПЭ им. В.Г.Мокерова РАН, АО НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха
Научные группы, научные лаборатории, центры НИЯУ МИФИ:
- Центр радиофотоники и СВЧ технологий НИЯУ МИФИ (линейка А3В5 нанофабрикации для СВЧ и радиофотонной компонентной базы);
- Центр экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ;
- Инжиниринговый центр МИФИ.

Условия поступления

Информация о приеме на обучение по программам научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре

Вступительные испытания проводятся в соответствии с графиком проведения вступительных испытаний

-Специальную дисциплину, соответствующую группе научных специальностей, научной специальности или профилю программы аспирантуры поступления;
-Иностранный язык в профессиональной сфере (английский).

Вступительные испытания проводятся в форме собеседования по вопросам, перечень которых установлен программой вступительных испытаний

Программы вступительных испытаний в аспирантуру

Репутация

Университет ведет историю от Московского механического института боеприпасов (ММИБ), основанного в ноябре 1942 года. Основной целью института являлась подготовка кадров для атомной отрасли. В создании и становлении МИФИ участвовали выдающиеся ученые, в том числе руководитель атомного проекта СССР академик Игорь Васильевич Курчатов. В МИФИ работали шесть лауреатов Нобелевской премии – академики Н.Г. Басов (выпускник МИФИ), А.Д. Сахаров, Н.Н. Семенов, И.Е. Тамм, И.М. Франк, П.А. Черенков.

Миссия НИЯУ МИФИ - Ответ на глобальные научно-технологические вызовы результатами фундаментальных и прикладных исследований в сотрудничестве с мировыми научно-образовательными центрами и обеспечение стратегической безопасности России через вклад в конкурентоспособность страны на мировом рынке высоких технологий и подготовку будущих лидеров.

По результатам рейтинга RAEX-100: лучшие вузы России 2024 НИЯУ МИФИ занимает 5 место.