Силовая микроэлектроника

Описание

Магистерская образовательная программа «Силовая микроэлектроника» нацелена на подготовку специалистов в области разработки технологии и проектирования полного цикла силовых микроэлектронных компонентов для формирования отечественной электронной компонентной базы современных малогабаритных силовых электротехнических систем.

В рамках программы обучающиеся освоят:
моделирование и проектирование приборов силовой электроники на основе широкозонных полупроводников;
физико-химические основы технологий полупроводниковых материалов для приборов силовой электроники;
технологии изготовления монокристаллических подложек;
создание функциональных слоев на монокристаллических подложках с использованием эпитаксиальных технологий;
постростовые процессы, формирующие планарный технологический маршрут изготовления ЭКБ силовой электроники на основе широкозонных полупроводников;
диагностику свойств материалов, структур микроэлектроники и приборов силовой микроэлектроники;
математическое и компьютерное моделирование технологических процессов производства изделий силовой микроэлектроники;
разработку технологических процессов, разработку и изготовление компонентов силовой микроэлектроники.
За время обучения студент:
будет решать конкретные инженерные задачи и получит опыт участия в проводимых НИОКР;
пройдет углубленную технологическую подготовку с практическими и лабораторными занятиями на установках в чистых производственных помещениях;
получит навыки оформления конструкторской, технологической и эксплуатационной документации, программ и методик испытаний при разработке и внедрении новой продукции;
изучит стандарты и нормативы для реализации документооборота в практической деятельности, в том числе на иностранном языке;
будет выполнять курсовые и междисциплинарные проекты, моделирующие реальные производственные задачи;
научится работать в программных комплексах конструкторского и технологического моделирования и проектирования;
будет проводить комплексные функциональные и климатические испытания систем силовой микроэлектроники.

Условия поступления

Правила приема на обучение Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Вступительное испытание- Основы физики и технологии электронных приборов и систем.

Программы вступительных испытаний.

Перечень общих индивидуальных достижений и порядок их учета при поступлении в магистратуру.

Студенты образовательных организаций высшего образования, обучающиеся по основным образовательным программам высшего образования по очной форме обучения, имеют право на отсрочку от призыва на военную службу (статья 24 Федерального закона от 28.03.1998 № 53 «О воинской обязанности и военной службе»).

Общежитие университета.

Места трудоустройства, практик и стажировок

ПАО ГАЗПРОМ
АО РАСУ
АО РАМ
АО НПО КИС
ООО «Специальный технологический центр»
ПАО ПНППК
АО Курский электроаппаратный завод
АО «ИТЦ «ДЖЭТ»
ООО «НИИЭФА Энерго»

Репутация

По результатам рейтинга RAEX-100: лучшие вузы России 2024 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» занимает 37 место.

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина) — российское техническое высшее учебное заведение, основанное в 1886 году и специализирующееся в области электротехники.

В предметных рейтингах RAEX ЛЭТИ входит в списки лучших вузов по 2 направлениям подготовки: технологии материалов и энергетика, энергетическое машиностроение и электротехника.

СПбГЭТУ «ЛЭТИ» является участником Проекта 5-100, запущенным Министерством образования и науки Российской Федерации.