Полупроводниковая квантовая электроника

Описание

Программа направлена на подготовку специалистов, которые будут успешно работать в сфере деятельности, связанной с полупроводниковыми лазерами, технологиями получения и производства полупроводниковых материалов, лазерной физикой и применением лазеров в науке, технике, технологиях, медицине, образовании.

Дополнительной задачей программы является формирование у выпускников педагогических компетенций, позволяющих им также успешно работать в сфере образования и уметь передавать профессиональные знания в академической среде.

Условия поступления

Перед участием в конкурсе советуем ознакомиться со следующей информацией:

Поступление

Правила приёма
Учёт индивидуальных достижений
Минимальное количество баллов

Общежитие

Места в общежитии предоставляются студентам, поступившим на очную форму обучения.

Отсрочка от армии и ВУЦ

В институте возможно обучение в военном учебном центре.
Отсрочка от армии предоставляется юношам, поступившим на очную форму обучения.

Места трудоустройства, практик и стажировок

МИФИ является опорным вузом Госкорпораций «Росатом»и «Роскосмос», а также партнёром Росфинмониторинга и Лаборатории Касперского.

Репутация

МИФИ в рейтингах:

• RAEX-100: лучшие вузы России — 5 место в 2025 году и 5 место в 2024 году
• Forbes Лучшие российские вузы — 6 место в 2025 году и 9 место в 2024 году

Университет ведет историю от Московского механического института боеприпасов (ММИБ), основанного в ноябре 1942 года. Основной целью института являлась подготовка кадров для атомной отрасли. В создании и становлении МИФИ участвовали выдающиеся ученые, в том числе руководитель атомного проекта СССР академик Игорь Васильевич Курчатов. В МИФИ работали шесть лауреатов Нобелевской премии – академики Н.Г. Басов (выпускник МИФИ), А.Д. Сахаров, Н.Н. Семенов, И.Е. Тамм, И.М. Франк, П.А. Черенков.

Узнать больше