Оптоэлектронные сенсорные системы и технологии

Описание

Студенты исследуют физические основы взаимодействия электромагнитного излучения с микро- и наноструктурами и разрабатывают методы и технологии для фотовольтаики, полупроводниковых светодиодов, оптических сенсоров и сенсорных систем, аналитического оборудования для экологии, биологии, медицины и безопасности. На программе готовят профессионалов, умеющих проводить исследования, разрабатывать, проектировать и конструировать компоненты, элементы и устройства на основе нанофотоники и наноэлектроники, начиная с идей и заканчивая востребованными приборами, успешно работающими в различных сферах.

Условия поступления

Перед участием в конкурсе советуем ознакомиться со следующей информацией:

Поступление

Правила приёма
Учёт индивидуальных достижений
Минимальное количество баллов

Количество мест указано в общем на направление.

Общежитие

Места в общежитии предоставляются студентам, поступившим на очную форму обучения.

Отсрочка от армии и ВУЦ

В институте возможно обучение в военном учебном центре.
Отсрочка от армии предоставляется юношам, поступившим на очную форму обучения.

Места трудоустройства, практик и стажировок

МИФИ является опорным вузом Госкорпораций «Росатом»и «Роскосмос», а также партнёром Росфинмониторинга и Лаборатории Касперского.

Репутация

МИФИ в рейтингах:

• RAEX-100: лучшие вузы России — 5 место в 2025 году и 5 место в 2024 году
• Forbes Лучшие российские вузы — 6 место в 2025 году и 9 место в 2024 году

Университет ведет историю от Московского механического института боеприпасов (ММИБ), основанного в ноябре 1942 года. Основной целью института являлась подготовка кадров для атомной отрасли. В создании и становлении МИФИ участвовали выдающиеся ученые, в том числе руководитель атомного проекта СССР академик Игорь Васильевич Курчатов. В МИФИ работали шесть лауреатов Нобелевской премии – академики Н.Г. Басов (выпускник МИФИ), А.Д. Сахаров, Н.Н. Семенов, И.Е. Тамм, И.М. Франк, П.А. Черенков.

Узнать больше