Гетероструктурная наноэлектроника

Описание

Гетероструктуры и двумерные наноматериалы являются основой электроники будущего, за исследования в этой области получено 4 Нобелевские премии. Данное междисциплинарное направление необходимо для развития технологий связи, телекоммуникации, широкополосного интернета, силовой электроники, сенсоров.

Особенностью программы является акцент на новых, некремниевых технологиях, дизайне наноматериалов и разработке компонентов с заданными характеристиками на новых физических принципах.

Студенты изучают физику полупроводников и наносистем, основы схемотехники, технологии современной электроники, проектирование и моделирование электронных устройств, получают уникальную практическую подготовку.

Условия поступления

Перед участием в конкурсе советуем ознакомиться со следующей информацией:
1. Правила приема в 2025 учебном году
2. Дополнительные баллы за индивидуальные достижения
3. Минимальное количество баллов

Университет предоставляет места в общежитиях и возможность обучения в Военном учебном центре.

Количество бюджетных и платных мест указано в общем на направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника.

Места трудоустройства, практик и стажировок

Выпускники программы – инженеры-технологи, разработчики новых материалов, компонентов и устройств современной наноэлектроники и СВЧ электроники.

МИФИ является опорным вузом Госкорпораций «Росатом»и «Роскосмос», а также партнёром Росфинмониторинга и Лаборатории Касперского.

Репутация

МИФИ в рейтингах

Рейтинг Forbes - 3 место
Рейтинг RAEX-100: лучшие вузы России 2024 - 5 место
Национальный рейтинг университетов «Интерфакс» - 2 место
ARES (Academic Ranking of World Universities-European Standard) - 3 место